탈탄소화 추세로 인해 전력 반도체, 특히 와이드 밴드갭 소재의 전력 반도체 시장이 크게 성장할 것으로 전망되는 가운데, 전력 시스템 분야의 선도기업인 인피니언 테크놀로지스(코리아 대표이사 이승수)는 말레이시아 쿨림 공장의 투자 계획을 확대해 세계 최대 규모의 200mm SiC(실리콘 카바이드) 파워 팹을 건설한다고 밝혔다. 인피니언은 향후 5년 동안 쿨림 공장에 최대 50억유로를 추가로 투자해 2030년까지 연간 약 70억유로 SiC 매출 능력을 확보할 것이다. 인피니언은 2025 회계연도에 SiC 매출 목표치인 10억유로를 초과 달성할 것이다. 요흔 하나벡(Jochen Hanebeck) 인피니언 CEO는 “실리콘 카바이드 시장은 자동차뿐만 아니라 태양광, 에너지 저장, 고전력 EV 충전과 같은 광범위한 산업용 애플리케이션에서 빠른 성장세를 보이고 있다”며 “인피니언은 업계 최대 규모와 비용 우위, 동급 최고의 SiC 트렌치 기술, 가장 광범위한 패키지 포트폴리오, 독보적인 애플리케이션 이해도를 기반으로 시장에서 선도적인 위치를 확고히 할 것”이라고 말했다. 헬로티 김진희 기자 |
비테스코, 온세미 생산 영역에 2억 5000만 달러 투자...‘핵심 반도체 기술 접근성 확보로 전기화 성장 뒷받침’ SiC는 실리콘·탄소로 구성된 반도체 재료로, SiC반도체는 동력장치에 스위치 역할을 하는 전력반도체다. SiC반도체는 결국 모터 동력을 관장하는 인버터 핵심부품이다. 실리콘반도체 대비 약 10배가량 내구성이 강해 에너지 효율이 높고, 10배에 해당하는 만큼 공간 효율성도 갖춰 전기차 분야 최적 기술로 부상했다. 이에 온세미와 비테스코 테크놀로지스(이하 비테스코)가 실리콘 카바이드(SiC) 장기 공급 계약을 체결했다. 10년간 총 19억 달러 규모다. 하산 엘 코우리(Hassane El-Khoury) 온세미 CEO는 “이번 협력으로 전기차 주행거리 연장 및 고성능에 대한 비테스코 고객 요구를 충족할 수 있을 것”이라고 말했다. 한편, 비테스코는 온세미에 SiC 기판(Boule) 성장·웨이퍼 생산 신규 장비 도입·에피택시 생산 신규 장비 도입 등에 2억 5000만 달러를 투자해 SiC 용량 확보를 도모했다. 해당 장비는 SiC의 글로벌 수요 증가에 대비 전략인 SiC 웨이퍼 생산에 활용될 예정이다. 비테스코는 이번 계약을 통해 향후 트랙션 인버터
현대차, E-GMP 차량 플랫폼 모델 다수에 ST 에이스팩 드라이브 전력 모듈 채택 ST마이크로일렉트로닉스(이하 ST)가 전기차의 성능과 주행거리를 향상시키는 고전력 모듈을 출시했다. ST의 이 새로운 SiC(Silicon Carbide) 전력 모듈은 기아 EV6을 비롯해 여러 차량 모델에서 사용되는 현대자동차의 E-GMP 전기차 플랫폼에 채택됐다. 5종의 새로운 SiC-MOSFET 기반 전력 모듈을 통해 차량 제조 업체들은 전기차의 트랙션 애플리케이션에 일반적으로 사용되는 동작 전압을 지원하고, 다양한 정격 전력을 유연하게 선택할 수 있다. 트랙션 애플리케이션에 최적화된 패키지로 하우징된 ST의 에이스팩 드라이브(ACEPACK DRIVE) 전력 모듈은 소결 기술 덕분에 높은 안정성과 견고성을 제공하며, 제조사가 전기자동차 드라이브에 손쉽게 통합할 수 있다. 이 전력 모듈에 내장된 주요 전력 반도체로는 ST의 3세대 STPOWER SiC MOSFET이 있으며, 이는 동기식 정류에서 탁월한 성능과 매우 낮은 스위칭 에너지와 함께 업계 선도적인 성능 지수(RDS(ON) x 다이 면적)를 제공한다. ST의 오토모티브 및 디스크리트 그룹 사장인 마르코 몬티는 “ST
중국 전력 반도체 제조사 최초 시스템 검증 반도체 및 첨단 웨이퍼 레벨 패키징(WLP) 애플리케이션을 위한 웨이퍼 처리 솔루션 전문 기업인 ACM 리서치(ACM Research)가 전력 반도체 제조 및 웨이퍼 레벨 패키징(WLP) 애플리케이션을 지원하기 위해 금속 박리(metal lift-off, MLO) 기능을 포함하도록 Ultra C pr 포토레지스트 장비 제품군을 확장했다. MLO 기능은 에칭 공정 단계를 줄이도록 사용할 수 있어 비용을 줄이고, 사이클 시간을 최적화하며, 고온에서 화학 물질 수요를 크게 줄일 수 있다. ACM은 MLO 기능을 지원하는 첫 번째 Ultra C pr 장비가 중국의 전력 반도체 제조 회사에서 품질 검증을 마치고 양산 라인에 적용됐다고 발표했다. ACM의 데이비드 왕(David Wang) CEO겸 사장은 “우리는 플랫폼 기반의 다양한 장비 공급 회사로서의 입지를 강화하기 위해 노력하고 있으며, 반도체 세정 분야 이외의 새 영역으로 시장 기회를 넓혀 나가기 위해 제품군을 지속적으로 확장하고 있다. 우리의 Ultra C pr 장비는 우수한 포토레지스트 제거 기능을 발판으로 이미 광범위한 고객들을 확보하고 있다”며 “새 MLO 공정
모듈 용량 늘려 생산성 높이고, 아키텍처 개선을 통해 장비 풋프린트 축소 EV Group(이하 EVG)은 자사의 리소그래피 솔루션 포트폴리오에 속하는 차세대 200mm 제품으로서 EVG150 자동화 레지스트 처리 시스템을 출시한다고 8일 밝혔다. 새로운 디자인의 EVG150 플랫폼은 이전 세대 플랫폼과 비교해 최대 80퍼센트까지 더 높은 생산성, 우수한 범용성, 50퍼센트 더 작은 풋프린트가 특징이다. 범용 플랫폼으로서 신뢰할 수 있는 고품질 코팅 및 현상 공정을 가능하게 하므로, 첨단 패키징, MEMS, RF, 3D 센싱, 전력 반도체, 포토닉스를 비롯한 다양한 디바이스 및 애플리케이션에 적용할 수 있다. 오는 15일부터 18일까지 나흘간 독일 뮌헨의 메세 뮌헨에서 개최되는 세미콘 유로파(SEMICON Europa) 전시회에서 EVG 부스를 방문하면 EVG의 임직원들로부터 직접 차세대 EVG150 레지스트 처리 시스템에 관한 설명을 들을 수 있다. 세계적인 EBS(electronic based system) 연구 센터인 실리콘 오스트리아 랩스는 차세대 EVG150 시스템의 첫 번째 고객이다. 실리콘 오스트리아 랩스의 마이크로시스템 연구 부문장인 모센 모리디
전기차·데이터센터 수요에 급성장…트렌드포스 10대 기술 트렌드 전망 내년 반도체 업계에서는 탄화규소(SiC·실리콘 카바이드)와 질화갈륨(GaN) 등 이른바 3세대 반도체 기술이 본격적으로 성장할 것이라는 전망이 나왔다. 16일 업계에 따르면 대만 시장정보업체 트렌드포스는 2023년 10대 기술 산업 트렌드 중 하나로 3세대 반도체의 부상을 꼽았다. 기존 전력 반도체는 주로 실리콘(Si) 소재로 만들어졌는데, 최근에는 전력 효율과 내구성을 극대화한 SiC와 GaN 등 신소재를 기반으로 한 차세대 전력 반도체가 주목받고 있다. 앞으로 전자기기 수요 확대와 전력 소비 증가가 예상되면서 차세대 전력 반도체는 미래 성장 가능성이 높은 분야로 꼽힌다. 2026년까지 5년간 SiC와 GaN을 활용한 전력 기기 시장의 연평균 성장률이 각각 35%, 61%에 이를 것으로 트렌드포스는 전망했다. 트렌드포스는 "800V 전기차, 고전압 충전, 고효율 그린 데이터센터 등의 급부상으로 SiC와 GaN 부품은 가파른 성장 단계에 접어들었다"며 "2023년을 앞두고 더 많은 자동차 업체가 메인 인버터에 SiC 기술을 도입할 것"이라고 예상했다. 아울러 "GaN은 고출력 에너지 저장장치
키사이트테크놀로지스가 전체 전력 모듈을 더 쉽고 빠르게 테스트할 수 있도록 지원하는 차세대 더블 펄스 테스터(DPT)인 PD1550A 고급 동적 전력 디바이스 분석기를 출시했다. 전력 모듈은 간편한 설계, 높은 에너지 밀도와 신뢰도 등 다양한 장점이 있어 전기차(EV)와 태양광 전력 인버터, 기차, 가전기기 및 항공기 등 다양한 분야에 사용된다. 현재 설계자들은 와이드 밴드갭(WBG) 디바이스 기반 전력 모듈을 사용한 디바이스의 고속 스위칭 작동으로 전력 전자 모듈 크기를 줄이고 효율을 높일 수 있다. 하지만, WBG 전력 모듈로 인해 테스트 과제 또한 대두되고 있고 이 문제 해결을 위해 프로토타입 실패를 없애고 설계 주기를 줄이면서 디바이스를 올바르게 특성화할 수 있는 새로운 솔루션이 요구되고 있다. 2019년에 출시된 키사이트의 PD1500A 전력 디바이스 동적 분석기/더블 펄스 테스터는 개별 WBG 전력 디바이스 특성화를 위한 솔루션으로, 현재 전 세계 전력 변환기 설계자와 전력 반도체 제조업체가 사용하고 있다. 이제 새로운 PD1550A는 PD1500A의 기능을 확장해 전체 전력 모듈(최대 1360V, 최대 1000A)을 테스트하는 통합 솔루션을 제공
올해 국내 반도체 업계가 공급망 강화와 초격차 유지를 위해 56조 원 이상을 쏟아붓는다. 정부는 반도체 전문 교육과정을 신설해 매년 1200명의 인력을 양성하고 전문 대학원을 별도로 운영하는 등 기업 투자 효과를 극대화하기 위한 측면 지원에 나선다. 산업통상자원부는 16일 오후 서울 중구 롯데호텔에서 주요 반도체 기업들이 참석한 가운데 '반도체 투자활성화 간담회'를 개최했다. 이 자리에서 한국반도체산업협회는 150여개 회원사의 투자계획 조사를 바탕으로 올해 56조7000억 원을 국내에 투자한다고 발표했다. 이는 지난해 투자 실적인 51조6000억 원보다 10% 증가한 규모다. 올해 반도체 투자계획을 세부적으로 보면 소재·부품·장비(소부장) 및 후공정 분야 중소·중견기업이 약 1조8000억 원, 팹리스·전력 반도체 등 시스템 반도체 분야 중소·중견기업은 약 1조3000억 원을 각각 투자할 예정이다. 그 외 53조6000억 원은 대기업과 기타 소재 분야 중소·중견기업의 투자액이다. 구체적인 기업명과 기업별 투자 규모는 공개되지 않았다. 간담회에 참석한 반도체 기업들은 인력, 시설 투자, 연구 개발 등에서 경쟁력을 높이기 위한 다양한 방안을 정부에 건의했다. 이정
탄소중립 R&D에 45% 증가한 1조1961억원 반도체, 미래차, 바이오 등 3대 신산업에 7870억원 내년 산업부 연구개발(R&D) 예산은 올해 4.9조원 대비 약 11.9% 증가한 5조5415억원으로, 사상 처음 5조원을 돌파했다. 2018년 이후 핵심 소재 글로벌 공급망 재편, 코로나19 펜데믹, 기후위기 등 전례없는 경제 위기 상황에서 산업기술 R&D 예산은 약 2.4조원 이상 증가했다. 핵심 분야별 연구개발 투자로는 먼저 탄소중립 R&D 예산에 1조1961억원을 편성해 2021년 대비 45% 이상 투자를 확대한다. 산업 디지털 전환 R&D 예산에 2640억원을 편성하여, 산업 현장에서 직면하는 디지털 전환 수요, 펜데믹 계기 비대면 디지털 경제로의 급속한 전환에 적극 대응한다. 핵심 소재․부품․장비 공급망 안정화와 미래 신공급망 창출․선점을 위해 올해 대비 8.1% 증가한 1조6816억원을 편성했다. 반도체, 미래차, 바이오 등 혁신성장 3대 신산업 분야에는 올해보다 27.8% 증가한 총 7천870억원을 투자한다. 먼저 반도체 부분에서는 인공지능반도체 상용화, 화합물기반 차세대 전력 반도체 개발, 주력산업 데이터
헬로티 이동재 기자 | 산업통상자원부(이하 산업부)가 21일 한국산업기술평가관리원, 한국반도체산업협회와 함께 그간 추진해온 ‘신산업 창출 파워반도체(전력 반도체) 상용화 사업’의 사업화 성과를 점검·공유하고, ‘K-반도체 전략’의 후속과제로 추진되는 ‘화합물 기반 차세대 전력 반도체 기술개발 사업’의 추진 방향에 대해서 논의했다. 현재 추진 중인 ‘신산업 창출 파워반도체 상용화 사업’은 2017년부터 실리콘 및 화합물(SiC, GaN) 소재 전력 반도체의 선제적 기반 구축을 지원하고 있으며, 2023년까지 총 836억원이 투입될 계획이다. 사업추진 5년차를 맞아 진행된 이번 성과점검에서는 참여기업들의 제품 개발을 통해 누적(~2021년 5월) 매출 390억원 규모의 사업화 성과가 창출됐음을 확인했다. 대표적으로 A社는 IoT 디바이스용 고효율 배터리 관리 반도체를 개발해 누적 210억원의 매출을 창출했으며, B社는 자동차 조향에 활용되는 반도체 개발에 성공해, 완성차 업체 납품을 통해 누적으로 약 80억원의 매출 성과를 확보했다. 산업부는 이 외에도 여러 참여기업들이 화합물 반도체 등 차세대 전력 반도체 분야에서 매출을 창출했으며, 정부의 선제적 지원을 바탕
헬로티 이동재 기자 | 정부가 1일 제12차 혁신성장 BIG3 추진회의를 개최하고, 지난 5월 13일 관계부처 합동으로 발표한 ‘K-반도체 전략’의 후속조치 추진현황과 향후계획을 점검했다. 정부는 “그간 추진된 K-반도체 전략이 규제완화, 인력양성 등 성과를 조기 창출했다”며, “올해 하반기 이후부터는 세제지원, 제도개선, 민간투자 등 다양한 분야의 성과가 본격 도출될 것”으로 전망했다. 산업부 등 관계부처는 국내 반도체 공급 인프라 확대를 위해 세제·금융지원, 규제완화 등 후속과제를 차질없이 이행 중이라고 밝혔다. 반도체 핵심기술을 국가전략기술로 선정해 R&D‧시설투자시 공제율을 대폭 확대할 계획이며, 현재 메모리‧시스템‧소부장 등 주요 부문 중심으로 국가전략기술 선정 논의를 진행 중이라는 설명이다. 향후, 기재부는 세법개정안을 통해 국가전략기술안을 발표하고, ‘조세특례제한법’ 개정안을 9월 정기국회에 제출할 예정이다. 정부는 또한 반도체 등 중소·중견기업 대상 금융지원 프로그램(1조원+α)이 지난달 8일 신설되어 투자 수요가 있는 파운드리, 소부장, 패키징 기업을 대상으로 자금 지원을 안내 중이라고 밝혔다. 지난달 17일부터는 전파응용설비 교체 시
[헬로티] 한국광기술원은 AI에너지연구센터 손명우 박사팀이 저온 합성공정 기술을 이용, 반도체 전극의 물리적 손상을 방지하는 고성능 그래핀-구리 적층 배선 제작 기술을 세계 최초로 개발했다고 4일 밝혔다. 그래핀 저온 대면적 합성 기술을 기반으로 한 이 기술은 반도체와 디스플레이 분야에 폭넓게 적용이 가능하다. 그래핀은 전기·화학적 특성이 우수해 반도체 분야 '꿈의 신소재'로 불리는 물질이다. 지금까지 그래핀-구리 배선은 800℃ 이상의 고온에서 저압 화학 기상 증착법을 활용, 구리 호일 위에 그래핀을 합성하고 구리 배선에 전사해 제작하지만, 고온으로 인해 배선 기판이나 반도체에 물리적 손상이 발생하는 문제를 안고 있다. 저온의 화학기상증착법에 플라즈마를 적용해 그래핀을 구리 배선에 직접 합성하는 방식을 사용하지만 플라즈마의 높은 에너지로 그래핀의 물리적인 손상은 여전히 해결되지 않고 있다. 손 박사팀은 이러한 문제 해결을 위해 벤젠이나 피리딘 등의 액상 탄소소스를 그래핀 공정에 사용, 400℃ 이하의 저온 상압 화학기상증착법으로 기판이나 반도체의 물리적 손상 없이 그래핀-구리 배선 제작에 성공했다. 또 아르곤 가스를 주입하는 정화공정을 새롭게 개발해 저온
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